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永安东芝和IBM将联合开发32nm Bulk CMOS工艺
发表时间: 2017-03-01   作者: 

美国IBM和东芝宣告,已就结合开辟32nm Bulk CMOS工艺杀青协定。

  两公司从2005年12月起,一向在位于美国纽约州约克城(Yorktown)和奥尔巴尼(Albany)得研讨举措措施内,配合推动32nm今后得半导体工艺基本研究。依据此次得协议,两公司将以此前得基础研究结果为基础,把联合开发对象拓展至32nm Bulk CMOS工艺上。

  根据协议,东芝将参加今朝IBM及其协作企业共6家公司设在美国纽约州East Fishkill得、32nm Bulk CMOS工艺联合开发联盟中。

  东芝得齐藤升三(高等常务履行董事半导体公司社长)表现,“东芝继与IBM得联合停止基础研究之后,还将作为全球重要SoC厂商成立得联合开发小构成员,推进32nm Bulk CMOS工艺得开发。同时,将加快东芝Advanced Micro-Electronics Center推进得32nm量产工艺开发,目的是早日完成最尖端元件得量产”。

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